Electronic Components and Semiconductors search and free download site.
Transistors,MosFET,IGBT,Triac,SCR,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
RF-0505D RF-0505DH RF-0505S RF-0505SH RF-0509D RF-0509DH RF-0509S RF-0509SH RF-0512D RF-0512DH
RECOM Electronic GmbH
Компоненты Описание :
ECONOLINE - DC/DC-Converter RF Series, 1.25 Watt, DIP8 (Single & Dual Output)
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5369 C5369
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
C3355 2SC3355-T 2SC3355
Renesas Electronics
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
RF
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC3604 C3604
New Jersey Semiconductor
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
C3603 2SC3603
eleflow technologies co., ltd.
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC3603 C3603
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5408 2SC5408-T1 C5408-T1 C5408
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE HIGH-GAIN
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
C3604 2SC3604
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5409 2SC5409-T1 C5409 C5409-T1
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE HIGH-GAIN
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
NE699M01 NE699M01-T1
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE HIGH-GAIN
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
NE698M01 NE698M01-T1
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE HIGH-GAIN
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
C3587 2SC3587
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
MICROWAVE LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5606 2SC5606-A 2SC5606-T1 2SC5606-T1-A C5606 C5606-T1
Renesas Electronics
Компоненты Описание :
NPN
SILICON
RF
TRANSISTOR
FOR
LOW NOISE · HIGH-GAIN
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5433 2SC5433-T1 C5433-T1 C5433
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC5437 2SC5437-T1 C5437 C5437-T1
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
NESG2101M05 NESG2101M05-A NESG2101M05-T1 NESG2101M05-T1-A
Renesas Electronics
Компоненты Описание :
NPN
SiGe RF
TRANSISTOR
FOR
Medium Output Power
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC4957 2SC4957-T1 NE68539 C4957-T1
California Eastern Laboratories.
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
RF
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
4-PIN MINIMOLD
вид
Номер в каталоге(s) :
2SC4093 2SC4093-T1 C4093 C4093-T1
Renesas Electronics
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
RF
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
4-PIN MINIMOLD
вид
Номер в каталоге(s) :
C3663-T2B C3663-T1B C3663 2SC3663-T2B 2SC3663 2SC3663-T1B
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
Номер в каталоге(s) :
C5434 2SC5434 2SC5434-T1 C5434-T1
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
NPN
EPITAXIAL
SILICON
TRANSISTOR
FOR
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE
AMPLIFICATION
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetq.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]